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标题:我国量子级联激光器再获突破性进展

1楼
量子效率 发表于:2005-6-26 22:54:33

中科院半导体研究所材料科学重点实验室量子级联激光器研究近期取得突破性进展。研制出世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAlAs)量子级联激光器,波长7.8微米,阈值电流仅为80毫安。在磷化铟(InP)基器件方面,实现了5.49微米应变补偿铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器摄氏50度激射,连续工作温度230K,84K的准连续激射输出功率达660毫瓦,室温准连续功率为46毫瓦。研制出7.8微米应变补偿二级光栅分布反馈铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器,连续工作温度128K,目前国际上对二级光栅分布反馈量子级联激光器的报道很少。在砷化镓基器件方面,研制出亚洲第一个镓砷/铝镓砷量子级联激光器,波长9.1微米,其84K下的准连续功率大于350毫瓦,标志着我国红外量子级联激光器研究进入世界先进前列。

半导体所材料科学重点实验室的分子束外延课题组早在2000年就巧妙地将能带工程和应变补偿技术相结合,为量子级联激光器的结构设计和器件性能预测拓宽空间和灵活性,在降低阈值电流、提高工作温度方面取得重要突破,实现了波长3.5 - 3.7微米应变补偿InxGa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光激光器34度准连续激射,这是世界上首次实现4微米以下量子级联激光器的室温激射。科研人员经过几年的刻苦攻关、协作创新,解决了一系列材料制备、器件工艺、测试技术难题和关键技术,近期接连在InP基的InGaAs/InAlAs应变补偿量子级联激光器和GaAs基的GaAs/AlGaAs量子级联激光器方面又取得重要进展。


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2楼
Savage_ZHL 发表于:2005-8-18 21:16:17
多谢!
3楼
kzjun1221 发表于:2005-8-23 16:27:49
增强信心!
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